창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQ1421EDH-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SQ1421EEH | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SQ Automotive Qualified MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | SIL-002-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.4nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 355pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-70-6(SOT-363) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQ1421EDH-T1_GE3TR SQ1421EEH-T1-GE3 SQ1421EEH-T1-GE3TR SQ1421EEH-T1-GE3TR-ND SQ1421EEHT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SQ1421EDH-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQ1421EDH, SQ1421EDH-T1_GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | UPM1J560MPD6TD | 56µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPM1J560MPD6TD.pdf | |
![]() | SRP200 | POLYSWITCH STRAP 2.00A HOLD | SRP200.pdf | |
![]() | SG-636PCE 18.4320MC0:ROHS | 18.432MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 9mA Enable/Disable | SG-636PCE 18.4320MC0:ROHS.pdf | |
![]() | 3-1609091-1 | 100BCF6=F8238B | 3-1609091-1.pdf | |
![]() | B72210S381K101 | B72210S381K101 EPCOS RELAY | B72210S381K101.pdf | |
![]() | CC45SL3DD101KYNNA(L4.0mm) | CC45SL3DD101KYNNA(L4.0mm) epcos SMD or Through Hole | CC45SL3DD101KYNNA(L4.0mm).pdf | |
![]() | IRC730 | IRC730 IR 1TO-220-5 | IRC730.pdf | |
![]() | HM6054 | HM6054 ORIGINAL SMD or Through Hole | HM6054.pdf | |
![]() | LTC1878EMS9 | LTC1878EMS9 TI MSOP8 | LTC1878EMS9.pdf | |
![]() | XC6382A271PRN | XC6382A271PRN TOREX SOT-89 | XC6382A271PRN.pdf |