창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPW47N60C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPW47N60C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 2.7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 320nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 415W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000013953 SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3IN SPW47N60C3X SPW47N60C3XK SPW47N60C3XTIN SPW47N60C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPW47N60C3 | |
| 관련 링크 | SPW47N, SPW47N60C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 416F26022CKR | 26MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26022CKR.pdf | |
![]() | 1025-10G | 390nH Unshielded Molded Inductor 710mA 300 mOhm Max Axial | 1025-10G.pdf | |
![]() | LTC1441IN8 | LTC1441IN8 LT DIP | LTC1441IN8.pdf | |
![]() | 1N4970JANTX | 1N4970JANTX Microsemi NA | 1N4970JANTX.pdf | |
![]() | LTC3728LXCUH/LT3728LX | LTC3728LXCUH/LT3728LX LT QFN32 | LTC3728LXCUH/LT3728LX.pdf | |
![]() | NJM4200M | NJM4200M JRC SMD | NJM4200M.pdf | |
![]() | RPC33T1R2J | RPC33T1R2J ORIGINAL SMD or Through Hole | RPC33T1R2J.pdf | |
![]() | LM9811CCVF | LM9811CCVF NCH NULL | LM9811CCVF.pdf | |
![]() | OPA694IDB | OPA694IDB BB/TI SOT23-5 | OPA694IDB.pdf | |
![]() | PBM99005 | PBM99005 ORIGINAL SMD or Through Hole | PBM99005.pdf | |
![]() | SB10209 | SB10209 ORIGINAL SMD or Through Hole | SB10209.pdf |