창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPW35N60C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPW35N60C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 21.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1.9mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 313W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO247-3 | |
| 표준 포장 | 240 | |
| 다른 이름 | SP000014970 SPW35N60C3-ND SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3IN SPW35N60C3X SPW35N60C3XK | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPW35N60C3 | |
| 관련 링크 | SPW35N, SPW35N60C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | BAS21H,115 | BAS21H,115 NXP SMD or Through Hole | BAS21H,115.pdf | |
![]() | TP65 | TP65 ORIGINAL SMD or Through Hole | TP65.pdf | |
![]() | 74CBTD1G125DBVRE4 | 74CBTD1G125DBVRE4 TI SOT153 | 74CBTD1G125DBVRE4.pdf | |
![]() | 2035-47-B5 | 2035-47-B5 BOURNS SMD or Through Hole | 2035-47-B5.pdf | |
![]() | MCM518160AT/BT-60 | MCM518160AT/BT-60 MEMORY SMD | MCM518160AT/BT-60.pdf | |
![]() | M2S56D30TP-5 | M2S56D30TP-5 MITSUBISH TSOP54 | M2S56D30TP-5.pdf |