창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPT01-335DEE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPT01-335DEE | |
| 기타 관련 문서 | SPT01-335DEE View All Specifications | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SPT | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 3 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 33V | |
| 전압 - 항복(최소) | 38V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 46V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 2A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 100W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-VQFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6+3-QFN(3x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPT01-335DEE | |
| 관련 링크 | SPT01-3, SPT01-335DEE 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | KC3225A44.0000C3GE00 | 44MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 8mA Standby (Power Down) | KC3225A44.0000C3GE00.pdf | |
![]() | SIT8008BI-21-33S-68.665000E | OSC XO 3.3V 68.665MHZ ST | SIT8008BI-21-33S-68.665000E.pdf | |
![]() | MQ7852SIP20A050 | MQ7852SIP20A050 Union DC-DC | MQ7852SIP20A050.pdf | |
![]() | 79L05L TO-92 | 79L05L TO-92 UTC SMD or Through Hole | 79L05L TO-92.pdf | |
![]() | C1608C0G1H332JT | C1608C0G1H332JT TDK SMD | C1608C0G1H332JT.pdf | |
![]() | ZN7410E | ZN7410E ZN DIP14 | ZN7410E.pdf | |
![]() | E3SB16.00000F12D11 | E3SB16.00000F12D11 ORIGINAL SMD or Through Hole | E3SB16.00000F12D11.pdf | |
![]() | T8UG2044CC3 | T8UG2044CC3 ORIGINAL SMD or Through Hole | T8UG2044CC3.pdf | |
![]() | MO3SS-123 J N1 | MO3SS-123 J N1 ASJ Call | MO3SS-123 J N1.pdf | |
![]() | 215RNA4AKA22HK(RX480 200P) | 215RNA4AKA22HK(RX480 200P) ATI BGA | 215RNA4AKA22HK(RX480 200P).pdf | |
![]() | 27CO10A-15 | 27CO10A-15 N DIP | 27CO10A-15.pdf | |
![]() | CL05C750JB5NCNC | CL05C750JB5NCNC Samsung SMD or Through Hole | CL05C750JB5NCNC.pdf |