창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP80P06P H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPB,SPP80P06P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 64A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5033pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 340W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06PH SPP80P06PHXKSA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP80P06P H | |
| 관련 링크 | SPP80P, SPP80P06P H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 402F192XXCJT | 19.2MHz ±15ppm 수정 9pF 300옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F192XXCJT.pdf | |
![]() | SIT8008BC-81-33E-19.972880Y | OSC XO 3.3V 19.97288MHZ OE | SIT8008BC-81-33E-19.972880Y.pdf | |
![]() | AQV214SX | Solid State Relay SPST-NO (1 Form A) 6-SOP (0.173", 4.40mm) | AQV214SX.pdf | |
![]() | AT0603DRD0746K4L | RES SMD 46.4KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD0746K4L.pdf | |
![]() | CT4M32E2M5 | CT4M32E2M5 Crucial SMD or Through Hole | CT4M32E2M5.pdf | |
![]() | 05D | 05D MICREL DFN-8 | 05D.pdf | |
![]() | HY1040 | HY1040 N/A CDIP28 | HY1040.pdf | |
![]() | ACT7201LA25RJ-M | ACT7201LA25RJ-M TI PLCC-32 | ACT7201LA25RJ-M.pdf | |
![]() | B1122T-TD | B1122T-TD SANYO SOT-89 | B1122T-TD.pdf | |
![]() | MIC37202BR | MIC37202BR ORIGINAL SMD or Through Hole | MIC37202BR.pdf | |
![]() | HFA3726AIN | HFA3726AIN KOA SOP-8 | HFA3726AIN.pdf | |
![]() | M51411SP | M51411SP MIT DIP-42 | M51411SP.pdf |