창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP80P06P H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPB,SPP80P06P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 64A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5033pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 340W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06PH SPP80P06PHXKSA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP80P06P H | |
| 관련 링크 | SPP80P, SPP80P06P H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | C907U360JZSDCAWL20 | 36pF 440VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U360JZSDCAWL20.pdf | |
![]() | AK40L4818Q56TF | AK40L4818Q56TF AKM QFP | AK40L4818Q56TF.pdf | |
![]() | zmd16 | zmd16 dio SMD or Through Hole | zmd16.pdf | |
![]() | S-80818CNNB-B8DT2G | S-80818CNNB-B8DT2G SII SC82AB | S-80818CNNB-B8DT2G.pdf | |
![]() | M25P16VQ | M25P16VQ ST SMD or Through Hole | M25P16VQ.pdf | |
![]() | SLQ-KA4 | SLQ-KA4 synergymwave SMD or Through Hole | SLQ-KA4.pdf | |
![]() | RG2012N1002BT1 | RG2012N1002BT1 SUSUMU SMD | RG2012N1002BT1.pdf | |
![]() | MH-249ESO- | MH-249ESO- MST SOT-23 | MH-249ESO-.pdf | |
![]() | 2SD/TO-92LS | 2SD/TO-92LS TOS TO-92L | 2SD/TO-92LS.pdf | |
![]() | P0770.333T | P0770.333T PULSE SOP | P0770.333T.pdf | |
![]() | LB1910N-TE-B | LB1910N-TE-B SANYO SMD | LB1910N-TE-B.pdf | |
![]() | TD62504PG(5,J) | TD62504PG(5,J) Toshiba PDIP16 | TD62504PG(5,J).pdf |