창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP80P06P H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPB,SPP80P06P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 64A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5033pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 340W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06PH SPP80P06PHXKSA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP80P06P H | |
| 관련 링크 | SPP80P, SPP80P06P H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 1N5807US | DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF | 1N5807US.pdf | |
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![]() | JS1aF-9V | JS1aF-9V Panasonic SMD or Through Hole | JS1aF-9V.pdf | |
![]() | WP90159L1 | WP90159L1 TI DIP | WP90159L1.pdf | |
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![]() | CD54419F3A | CD54419F3A TI/HAR CDIP | CD54419F3A.pdf | |
![]() | 120V-45A | 120V-45A TOSHIBA MODULE | 120V-45A.pdf | |
![]() | M8T97N | M8T97N ORIGINAL SMD or Through Hole | M8T97N.pdf | |
![]() | HLM02010Z2R000J | HLM02010Z2R000J Microsemi NULL | HLM02010Z2R000J.pdf | |
![]() | R2B-10V472MK8 | R2B-10V472MK8 ELNA DIP | R2B-10V472MK8.pdf |