창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP80P06P H | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPB,SPP80P06P H | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23m옴 @ 64A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 5.5mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 173nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5033pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 340W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000441774 SPP80P06P G SPP80P06P G-ND SPP80P06PH SPP80P06PHXKSA1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP80P06P H | |
관련 링크 | SPP80P, SPP80P06P H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 4P184F35CST | 18.432MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P184F35CST.pdf | |
![]() | VS-16FL60S02 | DIODE GEN PURP 600V 16A DO203AA | VS-16FL60S02.pdf | |
![]() | 1330R-66G | 82µH Unshielded Inductor 88mA 7.3 Ohm Max 2-SMD | 1330R-66G.pdf | |
![]() | WW12FT412R | RES 412 OHM 0.4W 1% AXIAL | WW12FT412R.pdf | |
![]() | STM3210B-SK/KEIL | STM3210B-SK/KEIL STM KIT | STM3210B-SK/KEIL.pdf | |
![]() | FEM12ANP-2N6 | FEM12ANP-2N6 SUMIDA SMD or Through Hole | FEM12ANP-2N6.pdf | |
![]() | D630S. | D630S. MIT SIP9 | D630S..pdf | |
![]() | AS2805YMI-3.3 | AS2805YMI-3.3 AS SOT-89 | AS2805YMI-3.3.pdf | |
![]() | 78L09 T/R | 78L09 T/R UTC TO92 | 78L09 T/R.pdf | |
![]() | PMB6720FV1.422 V2.0 | PMB6720FV1.422 V2.0 infineon TQFP100 | PMB6720FV1.422 V2.0.pdf | |
![]() | 1N3030A | 1N3030A MSC DO-13 | 1N3030A.pdf | |
![]() | SN54LS32J | SN54LS32J ORIGINAL DIP | SN54LS32J .pdf |