창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP24N60C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP24N60C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 15.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1.2mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 135nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 240W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000681068 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP24N60C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | SPP24N60C, SPP24N60C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CL21C3R3BBANNNC | 3.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C3R3BBANNNC.pdf | |
![]() | 8Z-30.000MAAV-T | 30MHz ±30ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Z-30.000MAAV-T.pdf | |
![]() | ASG-P-V-A-122.880MHZ-T | 122.88MHz LVPECL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 60mA Enable/Disable | ASG-P-V-A-122.880MHZ-T.pdf | |
![]() | STPS60L30CKY-TR | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V POWERSO | STPS60L30CKY-TR.pdf | |
![]() | CMF5560R400BHBF | RES 60.4 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5560R400BHBF.pdf | |
![]() | FX10852_RES-D | FX10852_RES-D LDL SMD or Through Hole | FX10852_RES-D.pdf | |
![]() | S10WB40 | S10WB40 SHINDEN SMD or Through Hole | S10WB40.pdf | |
![]() | 2SK3265,K32 | 2SK3265,K32 TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK3265,K32.pdf | |
![]() | MCR8M/N | MCR8M/N HTC/ON/HX SMD or Through Hole | MCR8M/N.pdf | |
![]() | 2SK2792 | 2SK2792 ROHM SMD or Through Hole | 2SK2792.pdf | |
![]() | BBY51-02W TEL:82766440 | BBY51-02W TEL:82766440 SM SOD-423 | BBY51-02W TEL:82766440.pdf |