홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » SPP20N65C3XKSA1

Infineon Technologies SPP20N65C3XKSA1

SPP20N65C3XKSA1
제조업체 부품 번호
SPP20N65C3XKSA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
데이터 시트 다운로드
다운로드
SPP20N65C3XKSA1 가격 및 조달

가능 수량

9733 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 3,014.91600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SPP20N65C3XKSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. SPP20N65C3XKSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SPP20N65C3XKSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SPP20N65C3XKSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SPP20N65C3XKSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SPP20N65C3XKSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SP(P,A,I)20N65C3
제품 교육 모듈CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20.7A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 13.1A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.9V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs114nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
전력 - 최대208W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지PG-TO220-3-1
표준 포장 500
다른 이름SP000681064
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SPP20N65C3XKSA1
관련 링크SPP20N65C, SPP20N65C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
SPP20N65C3XKSA1 의 관련 제품
10000pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C103KCRACTU.pdf
6.8µH Shielded Wirewound Inductor 3.7A 32.5 mOhm Max Nonstandard NRS8040T6R8NJGJ.pdf
10µH Unshielded Molded Inductor 455mA 600 mOhm Max Axial 1840R-30J.pdf
W79B586B-10L ORIGINAL SMD or Through Hole W79B586B-10L.pdf
CG5124AF CYP Call CG5124AF.pdf
SS6732-37CXTR SILICON SOT89 SS6732-37CXTR.pdf
RS2010M RECTRON SMD or Through Hole RS2010M.pdf
SN75285 TI SMD or Through Hole SN75285.pdf
DHM3UG120 Taychipst DIP DHM3UG120.pdf
FAN1851AN FSC DIP FAN1851AN.pdf
ILC7062CM-45 FAIRCH SOT23 ILC7062CM-45.pdf