창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP18P06P H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP18P06P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 13.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 81.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P G-ND SPP18P06PH SPP18P06PHXKSA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP18P06P H | |
| 관련 링크 | SPP18P, SPP18P06P H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT3808AI-D-33SG | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Standby | SIT3808AI-D-33SG.pdf | |
![]() | KSC2383YTA | TRANS NPN 160V 1A TO-92L | KSC2383YTA.pdf | |
![]() | ERJ-B2AJ392V | RES SMD 3.9K OHM 3/4W 1206 WIDE | ERJ-B2AJ392V.pdf | |
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![]() | EO1A11CB | EO1A11CB EPSON QFP | EO1A11CB.pdf | |
![]() | AN3501BFP/MN67434YRS | AN3501BFP/MN67434YRS Nat QFP | AN3501BFP/MN67434YRS.pdf | |
![]() | SFC05-5.WC | SFC05-5.WC SEMTECH CSP | SFC05-5.WC.pdf | |
![]() | HSMBJ5920Be3/TR13 | HSMBJ5920Be3/TR13 Microsemi DO-214AA | HSMBJ5920Be3/TR13.pdf | |
![]() | MB88347PW-G-BND-EF | MB88347PW-G-BND-EF FUJI SMD or Through Hole | MB88347PW-G-BND-EF.pdf | |
![]() | LM5575BLDT/NOPB | LM5575BLDT/NOPB ORIGINAL SMD or Through Hole | LM5575BLDT/NOPB.pdf | |
![]() | MRRP-101 | MRRP-101 OKITA SMD or Through Hole | MRRP-101.pdf | |
![]() | XC6376A433SR | XC6376A433SR ORIGINAL SMD or Through Hole | XC6376A433SR.pdf |