창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP18P06P H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP18P06P H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 13.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 860pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 81.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000446906 SPP18P06P G SPP18P06P G-ND SPP18P06PH SPP18P06PHXKSA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP18P06P H | |
| 관련 링크 | SPP18P, SPP18P06P H 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ELF-18D417F | 18mH @ 1kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 800mA DCR 655 mOhm (Typ) | ELF-18D417F.pdf | |
![]() | FR85D | FR85D MCC DO-5 | FR85D.pdf | |
![]() | OZ1297N | OZ1297N OZ QFP | OZ1297N.pdf | |
![]() | DJ=CD | DJ=CD ORIGINAL SMD or Through Hole | DJ=CD.pdf | |
![]() | HDSP-5508 | HDSP-5508 AVAGO DIP-9 | HDSP-5508.pdf | |
![]() | 7AL-01 | 7AL-01 DIODES SOT-89 | 7AL-01.pdf | |
![]() | THCA1V334 | THCA1V334 Hitachi SMD or Through Hole | THCA1V334.pdf | |
![]() | ATTL7554BP | ATTL7554BP LUCENT PLCC44 | ATTL7554BP.pdf | |
![]() | N922404 | N922404 ST SMD or Through Hole | N922404.pdf | |
![]() | Z840004DSE | Z840004DSE ZILQG DIP | Z840004DSE.pdf | |
![]() | UPD70F3033AGC | UPD70F3033AGC NEC TQFP | UPD70F3033AGC.pdf | |
![]() | S3P9454XZZ/DKB4 | S3P9454XZZ/DKB4 SAMSUNG DIP | S3P9454XZZ/DKB4.pdf |