창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP17N80C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP,SPA17N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 177nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2320pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 208W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000013354 SP000683164 SPP17N80C3IN SPP17N80C3X SPP17N80C3XK SPP17N80C3XKSA1 SPP17N80C3XTIN SPP17N80C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP17N80C3 | |
| 관련 링크 | SPP17N, SPP17N80C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | SIT1602AC-72-18S-38.400000D | OSC XO 1.8V 38.4MHZ ST | SIT1602AC-72-18S-38.400000D.pdf | |
![]() | 19063-002 | 19063-002 N/A BGA | 19063-002.pdf | |
![]() | UPD780022A-BB7 | UPD780022A-BB7 RENESAS TQFP-64 | UPD780022A-BB7.pdf | |
![]() | TSM11002SDV | TSM11002SDV SAT SMD or Through Hole | TSM11002SDV.pdf | |
![]() | V86999CAPHF | V86999CAPHF HARRIS PLCC28 | V86999CAPHF.pdf | |
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![]() | FSRB120060RTB00T | FSRB120060RTB00T MURATA SMD or Through Hole | FSRB120060RTB00T.pdf | |
![]() | CXA1237A | CXA1237A SONY QFP | CXA1237A.pdf | |
![]() | IRF2101PBF | IRF2101PBF IR DIP | IRF2101PBF.pdf | |
![]() | PJSD05LCTM T/R | PJSD05LCTM T/R PANJIT SOD123 | PJSD05LCTM T/R.pdf | |
![]() | L3042848 | L3042848 ORIGINAL QFP | L3042848.pdf | |
![]() | 2SB586 | 2SB586 O TO-3P | 2SB586.pdf |