창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP16N50C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPx16N50C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 675µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000681056 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP16N50C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | SPP16N50C, SPP16N50C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | PE-1008CM330JTT | 33nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CM330JTT.pdf | |
![]() | FMBG14 | FMBG14 SANKEN TO-220 | FMBG14.pdf | |
![]() | MOC207-QT | MOC207-QT ORIGINAL SMD or Through Hole | MOC207-QT.pdf | |
![]() | B656710100A033 | B656710100A033 epcos SMD or Through Hole | B656710100A033.pdf | |
![]() | 35210 | 35210 USA TO | 35210.pdf | |
![]() | TLK2701IRCPR | TLK2701IRCPR ORIGINAL SMD or Through Hole | TLK2701IRCPR.pdf | |
![]() | URS1V222MHA1TN | URS1V222MHA1TN NICHICON SMD or Through Hole | URS1V222MHA1TN.pdf | |
![]() | CV5102 | CV5102 PH DIP | CV5102.pdf | |
![]() | RSLD035-04 | RSLD035-04 ROALELECTRONICS SMD or Through Hole | RSLD035-04.pdf | |
![]() | KTC4375S-Y-RTK/P | KTC4375S-Y-RTK/P ORIGINAL SOT23 | KTC4375S-Y-RTK/P.pdf | |
![]() | MD80C287-12/B | MD80C287-12/B INTEL DIP | MD80C287-12/B.pdf |