창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP16N50C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPx16N50C3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 675µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000681056 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP16N50C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP16N50C, SPP16N50C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1005C0G1H271J050BA | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C1005C0G1H271J050BA.pdf | |
![]() | CL21X475KQFNNNE | 4.7µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21X475KQFNNNE.pdf | |
![]() | GRM0225C1E4R9WDAEL | 4.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E4R9WDAEL.pdf | |
![]() | NCV33269DT-ADJ | NCV33269DT-ADJ ON TO-252 | NCV33269DT-ADJ.pdf | |
![]() | 74HC00T | 74HC00T PHILIPS() SMD or Through Hole | 74HC00T.pdf | |
![]() | UDZTE-17-22B | UDZTE-17-22B ROHM S-MINI2P | UDZTE-17-22B.pdf | |
![]() | V24A12C600AL2 | V24A12C600AL2 VICOR SMD or Through Hole | V24A12C600AL2.pdf | |
![]() | SHLP-11V-S-B | SHLP-11V-S-B JST SMD or Through Hole | SHLP-11V-S-B.pdf | |
![]() | NE592N8G | NE592N8G ONSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | NE592N8G.pdf | |
![]() | TAR5S50 | TAR5S50 Toshiba SOT-153 | TAR5S50.pdf | |
![]() | TLP624(F) | TLP624(F) TOSHIBA DIP4 | TLP624(F).pdf | |
![]() | 28F102 | 28F102 ORIGINAL PLCC-44 | 28F102.pdf |