창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP11N80C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPP11N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 450m옴 @ 7.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 680µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 156W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000683158 SPP11N80C3 SPP11N80C3IN SPP11N80C3IN-ND SPP11N80C3X SPP11N80C3XK SPP11N80C3XTIN SPP11N80C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP11N80C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP11N80C, SPP11N80C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CRCW1206261RFKEA | RES SMD 261 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206261RFKEA.pdf | |
![]() | RC0201DR-0733R2L | RES SMD 33.2 OHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-0733R2L.pdf | |
![]() | 4816P-T01-680 | RES ARRAY 8 RES 68 OHM 16SOIC | 4816P-T01-680.pdf | |
![]() | MRS25000C1271FC100 | RES 1.27K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1271FC100.pdf | |
![]() | R1218K052A- | R1218K052A- ORIGINAL SMD or Through Hole | R1218K052A-.pdf | |
![]() | UCC3810N-4 | UCC3810N-4 UC DIP16 | UCC3810N-4.pdf | |
![]() | DM164-06 | DM164-06 SITI QFP | DM164-06.pdf | |
![]() | LX8384-00IDD | LX8384-00IDD APTMICROSEMI TO-263Power | LX8384-00IDD.pdf | |
![]() | HP32P391MRY | HP32P391MRY HIT DIP | HP32P391MRY.pdf | |
![]() | TX5A2654YZTR | TX5A2654YZTR TI BGA | TX5A2654YZTR.pdf | |
![]() | IRF530,N | IRF530,N IOR TO-220 | IRF530,N.pdf | |
![]() | ENE-MZ-F1SQ3535-3T5050 | ENE-MZ-F1SQ3535-3T5050 ORIGINAL SMD or Through Hole | ENE-MZ-F1SQ3535-3T5050.pdf |