창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP08N50C3XKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SP(P,I,A)08N50C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000681038 SPP08N50C3 SPP08N50C3IN SPP08N50C3IN-ND SPP08N50C3X SPP08N50C3X-ND SPP08N50C3XK | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP08N50C3XKSA1 | |
관련 링크 | SPP08N50C, SPP08N50C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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OP265W | Infrared (IR) Emitter 890nm 1.8V 50mA 90° T-1 | OP265W.pdf | ||
![]() | CRGH0805F20K | RES SMD 20K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F20K.pdf | |
![]() | CSTCC10M0G53-R0 | CSTCC10M0G53-R0 MURATA SMD | CSTCC10M0G53-R0.pdf | |
![]() | XCV50PQ240-4C | XCV50PQ240-4C XILINX QFP | XCV50PQ240-4C.pdf | |
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![]() | 74HC646N,652 | 74HC646N,652 PHI SMD or Through Hole | 74HC646N,652.pdf | |
![]() | ZJ9.1B | ZJ9.1B ORIGINAL DO-35 | ZJ9.1B.pdf | |
![]() | CY62128LL-70 | CY62128LL-70 CY SMD | CY62128LL-70.pdf | |
![]() | EGL41B-5400 LL34 1W | EGL41B-5400 LL34 1W GS SMD or Through Hole | EGL41B-5400 LL34 1W.pdf |