창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPP04N80C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP04N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 63W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000013706 SP000683152 SPP04N80C3IN SPP04N80C3X SPP04N80C3XK SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XTIN SPP04N80C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPP04N80C3 | |
| 관련 링크 | SPP04N, SPP04N80C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW2010360KJNTF | RES SMD 360K OHM 5% 3/4W 2010 | CRCW2010360KJNTF.pdf | |
![]() | RC0402JR-0715K | RC0402JR-0715K YAGEO SMD or Through Hole | RC0402JR-0715K.pdf | |
![]() | VRS0402MR55R331N | VRS0402MR55R331N YAGEO smd | VRS0402MR55R331N.pdf | |
![]() | YF-RP3101 | YF-RP3101 YF SMD or Through Hole | YF-RP3101.pdf | |
![]() | M30624MG-D58GP | M30624MG-D58GP MIT QFP 100 | M30624MG-D58GP.pdf | |
![]() | HSMS-282E-TR1 | HSMS-282E-TR1 AGILENT SOT-323 | HSMS-282E-TR1.pdf | |
![]() | B1242-Q | B1242-Q ROHM TO-92LM | B1242-Q.pdf | |
![]() | MAX8877EZK30 | MAX8877EZK30 MAXIM SOT23-5 | MAX8877EZK30.pdf | |
![]() | SMD-LM311 | SMD-LM311 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMD-LM311.pdf | |
![]() | LSB-AO | LSB-AO ORIGINAL SMD or Through Hole | LSB-AO.pdf | |
![]() | NX8045GB-10.178Mhz | NX8045GB-10.178Mhz NDK SMD or Through Hole | NX8045GB-10.178Mhz.pdf |