창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPP02N60C3HKSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPP02N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 80µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000013523 SPP02N60C3 SPP02N60C3IN SPP02N60C3IN-ND SPP02N60C3X SPP02N60C3XK SPP02N60C3XTIN SPP02N60C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPP02N60C3HKSA1 | |
관련 링크 | SPP02N60C, SPP02N60C3HKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 885012007020 | 470pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 885012007020.pdf | |
![]() | 445W22G24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 30pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W22G24M57600.pdf | |
![]() | SD7030-101-R | 95.5µH Shielded Wirewound Inductor 700mA 535 mOhm Max Nonstandard | SD7030-101-R.pdf | |
![]() | RM-XQ801 | RM-XQ801 ORIGINAL SMD or Through Hole | RM-XQ801.pdf | |
![]() | T495D107M010ZTE | T495D107M010ZTE ORIGINAL 10V100UD | T495D107M010ZTE.pdf | |
![]() | W83787 | W83787 Winbond QFP | W83787.pdf | |
![]() | HBF4023AB | HBF4023AB ST DIP14 | HBF4023AB.pdf | |
![]() | 19.2MHZ/ENE3176B | 19.2MHZ/ENE3176B NDK SMD or Through Hole | 19.2MHZ/ENE3176B.pdf | |
![]() | SM58400CP | SM58400CP NPC DIP18 | SM58400CP.pdf | |
![]() | PSP-600-27 | PSP-600-27 MW SMD or Through Hole | PSP-600-27.pdf | |
![]() | DS90C031M | DS90C031M NS SMD | DS90C031M.pdf | |
![]() | DAN217U-T146 | DAN217U-T146 ROHM DIODE | DAN217U-T146.pdf |