창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI73N03S2L-08 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SP(I,B,P)73N03S2L-08 | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Oct/2007 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 73A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.4m옴 @ 36A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 55µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 107W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000016263 SPI73N03S2L08X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPI73N03S2L-08 | |
| 관련 링크 | SPI73N03, SPI73N03S2L-08 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CBR08C390J1GAC | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C390J1GAC.pdf | |
![]() | CRCW08054M87FKTA | RES SMD 4.87M OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08054M87FKTA.pdf | |
![]() | 7513D2-L | 7513D2-L CML SMD or Through Hole | 7513D2-L.pdf | |
![]() | US2J-NL | US2J-NL FAIRCHILD DO-214AA | US2J-NL.pdf | |
![]() | GT48540-NBBB | GT48540-NBBB MARVELL BGA | GT48540-NBBB.pdf | |
![]() | MAX2605EUT-T | MAX2605EUT-T ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX2605EUT-T.pdf | |
![]() | NJM4250D1 | NJM4250D1 JRC DIP-8 | NJM4250D1.pdf | |
![]() | 2SJ533-E | 2SJ533-E RENESAS SMD or Through Hole | 2SJ533-E.pdf | |
![]() | BA032 | BA032 ROHM SOP8 | BA032.pdf | |
![]() | H8DN2953 | H8DN2953 MUR SMD or Through Hole | H8DN2953.pdf | |
![]() | LM7130-_H4M5 | LM7130-_H4M5 ORIGINAL SMD or Through Hole | LM7130-_H4M5.pdf | |
![]() | 282-314 | 282-314 Wago SMD or Through Hole | 282-314.pdf |