창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPI15N65C3HKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPI15N65C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 9.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 675µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 156W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000294825 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPI15N65C3HKSA1 | |
| 관련 링크 | SPI15N65C, SPI15N65C3HKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1206Y273JBCAT4X | 0.027µF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y273JBCAT4X.pdf | |
![]() | 01541.25DR | FUSE BOARD MNT 1.25A 125VAC/VDC | 01541.25DR.pdf | |
![]() | 160R-681GS | 680nH Unshielded Inductor 740mA 230 mOhm Max 2-SMD | 160R-681GS.pdf | |
![]() | RT1210CRB07357RL | RES SMD 357 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB07357RL.pdf | |
![]() | TNPW251249K9DHEG | RES SMD 49.9K OHM 0.5% 1/2W 2512 | TNPW251249K9DHEG.pdf | |
![]() | TR35JBC62R0 | RES 62 OHM 35W 5% TO220 | TR35JBC62R0.pdf | |
![]() | 140LAH-5.0 | 140LAH-5.0 NS CAN3 | 140LAH-5.0.pdf | |
![]() | LNK304 | LNK304 POWER DIP7 | LNK304.pdf | |
![]() | D1579-M,L,K | D1579-M,L,K NEC SMD or Through Hole | D1579-M,L,K.pdf | |
![]() | S63Y | S63Y ORIGINAL SMD or Through Hole | S63Y.pdf | |
![]() | 594D107+X9016D2 | 594D107+X9016D2 VJ SMD or Through Hole | 594D107+X9016D2.pdf |