창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPI100N03S2-03 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SP(I,P,B)100N03S2-03 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 26/Oct/2007 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.3m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | PG-TO262-3-1 | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000013492 SPI100N03S203X | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPI100N03S2-03 | |
관련 링크 | SPI100N0, SPI100N03S2-03 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
C937U681KZYDCA7317 | 680pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | C937U681KZYDCA7317.pdf | ||
SI1480DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 | SI1480DH-T1-GE3.pdf | ||
RT0603BRD07158KL | RES SMD 158K OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRD07158KL.pdf | ||
MCR004YZPF2002 | RES SMD 20K OHM 1% 1/32W 01005 | MCR004YZPF2002.pdf | ||
613AG-A090CEH=P3 | 613AG-A090CEH=P3 ORIGINAL SMD or Through Hole | 613AG-A090CEH=P3.pdf | ||
TRSF3243CPW | TRSF3243CPW TI TSSOP28 | TRSF3243CPW.pdf | ||
AD8013SAMPLE | AD8013SAMPLE ADI SOP-14P | AD8013SAMPLE.pdf | ||
9012/9013/9014/9015 | 9012/9013/9014/9015 N/A SMD or Through Hole | 9012/9013/9014/9015.pdf | ||
B41605A0188M009 | B41605A0188M009 EPCOS DIP-2 | B41605A0188M009.pdf | ||
V53V16258HK50 | V53V16258HK50 MOSEL SOP | V53V16258HK50.pdf | ||
HVC316TRU-E | HVC316TRU-E RENESAS/ SOD-523 | HVC316TRU-E.pdf | ||
TPA2000D1PW LFP | TPA2000D1PW LFP TI TSSOP16 | TPA2000D1PW LFP.pdf |