창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD30P06P G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD30P06P G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 21.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1.7mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1535pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000441776 SPD30P06P G-ND SPD30P06PG SPD30P06PGBTMA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD30P06P G | |
| 관련 링크 | SPD30P, SPD30P06P G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 02200011MRT1P | FUSE GLASS 350MA 250VAC 2AG | 02200011MRT1P.pdf | |
![]() | BAV19W-HE3-08 | DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123 | BAV19W-HE3-08.pdf | |
![]() | LP2980AIM5-3.5 TEL:82766440 | LP2980AIM5-3.5 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole | LP2980AIM5-3.5 TEL:82766440.pdf | |
![]() | LT6650IS5#TRMPBF | LT6650IS5#TRMPBF ORIGINAL ORIGINAL | LT6650IS5#TRMPBF.pdf | |
![]() | B3498 | B3498 PH TO-3P | B3498.pdf | |
![]() | BA6890 | BA6890 ROHM SMD | BA6890.pdf | |
![]() | APE8839 | APE8839 APEC N A | APE8839.pdf | |
![]() | TAJB226M006RNJ 6.3V22UF-B | TAJB226M006RNJ 6.3V22UF-B AVX SMD or Through Hole | TAJB226M006RNJ 6.3V22UF-B.pdf | |
![]() | PBL3762/2J | PBL3762/2J ERICSSON ORIGINAL | PBL3762/2J.pdf | |
![]() | TL2034 | TL2034 TI SOP-8 | TL2034.pdf | |
![]() | BRT23HT | BRT23HT VISHAY SOP6 | BRT23HT.pdf | |
![]() | 15430625 | 15430625 Delphi SMD or Through Hole | 15430625.pdf |