창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD09P06PL G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD09P06PL G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 6.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 42W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000443928 SPD09P06PL G-ND SPD09P06PLG SPD09P06PLGBTMA1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD09P06PL G | |
| 관련 링크 | SPD09P0, SPD09P06PL G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | VDRS07H230BSE | VARISTOR 360V 1.2KA DISC 9MM | VDRS07H230BSE.pdf | |
![]() | RG3216P-2320-B-T1 | RES SMD 232 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-2320-B-T1.pdf | |
![]() | 95J700 | RES 700 OHM 5W 5% AXIAL | 95J700.pdf | |
![]() | PCF8583P | PCF8583P PHI DIP | PCF8583P .pdf | |
![]() | RN5VL40CA-T1 | RN5VL40CA-T1 RICOH SOT89 | RN5VL40CA-T1.pdf | |
![]() | P12AH6FT | P12AH6FT TI TSSOP24 | P12AH6FT.pdf | |
![]() | EPF10K30AFC484-3 | EPF10K30AFC484-3 ALTERA BGA | EPF10K30AFC484-3.pdf | |
![]() | T510V476K010AS | T510V476K010AS KEMET SMD or Through Hole | T510V476K010AS.pdf | |
![]() | M306N4FGTFP-U0 | M306N4FGTFP-U0 RENESAS SMD or Through Hole | M306N4FGTFP-U0.pdf | |
![]() | KX15-120K4DE | KX15-120K4DE JAE SMD | KX15-120K4DE.pdf | |
![]() | LT3477EUFPBF | LT3477EUFPBF LINEARTECH SMD or Through Hole | LT3477EUFPBF.pdf | |
![]() | DWW-YJG-X2 | DWW-YJG-X2 DOMINAT ROHS | DWW-YJG-X2.pdf |