창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD07N60C3T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD07N60C3/ SPU07N60C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000013730 SPD07N60C3XTINTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD07N60C3T | |
| 관련 링크 | SPD07N, SPD07N60C3T 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTE-10.000MHZ-XK-E-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-10.000MHZ-XK-E-T.pdf | |
![]() | NJM4151D-#ZZZB | NJM4151D-#ZZZB JRC SMD or Through Hole | NJM4151D-#ZZZB.pdf | |
![]() | 2SK303V2 | 2SK303V2 SANYO SOT23 | 2SK303V2.pdf | |
![]() | STK730-080 TW | STK730-080 TW SANYO IC | STK730-080 TW.pdf | |
![]() | A29800UV-55 | A29800UV-55 AMIC TSOP48 | A29800UV-55.pdf | |
![]() | MEGA644V | MEGA644V ATMEL QFN | MEGA644V.pdf | |
![]() | PMB7720HV1.415ICM | PMB7720HV1.415ICM INFINEON TQFP | PMB7720HV1.415ICM.pdf | |
![]() | SAA3035 | SAA3035 PHILIPS SMD or Through Hole | SAA3035.pdf | |
![]() | K6F1008V2C-YF70 | K6F1008V2C-YF70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F1008V2C-YF70.pdf | |
![]() | SAR100P01K | SAR100P01K MAP SMD or Through Hole | SAR100P01K.pdf | |
![]() | NT5TU64M8AF-5A | NT5TU64M8AF-5A NANYA BGA84 | NT5TU64M8AF-5A.pdf |