창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD07N60C3T | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD07N60C3/ SPU07N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000013730 SPD07N60C3XTINTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD07N60C3T | |
관련 링크 | SPD07N, SPD07N60C3T 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | DSC1123CI1-010.0000 | 10MHz LVDS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 32mA Enable/Disable | DSC1123CI1-010.0000.pdf | |
![]() | CJT1000150RJJ | RES CHAS MNT 150 OHM 5% 1000W | CJT1000150RJJ.pdf | |
![]() | SAFC130.050MC1GOX-TC11 | SAFC130.050MC1GOX-TC11 MURATA SMD or Through Hole | SAFC130.050MC1GOX-TC11.pdf | |
![]() | CT4A-181-MF 0603*4 180PF | CT4A-181-MF 0603*4 180PF ORIGINAL SMD or Through Hole | CT4A-181-MF 0603*4 180PF.pdf | |
![]() | HV5308 | HV5308 ORIGINAL PLCC | HV5308.pdf | |
![]() | SMAJ170AC | SMAJ170AC VISHAY DO-214A | SMAJ170AC.pdf | |
![]() | CTS1946 | CTS1946 CTS SMD or Through Hole | CTS1946.pdf | |
![]() | CD4511BD/3 | CD4511BD/3 HARRIS SMD or Through Hole | CD4511BD/3.pdf | |
![]() | B82722J2501N | B82722J2501N EPCOS SMD or Through Hole | B82722J2501N.pdf | |
![]() | NJU74HC08M | NJU74HC08M JRC SOP | NJU74HC08M.pdf | |
![]() | G6H-2/12VDC | G6H-2/12VDC ORIGINAL DIP | G6H-2/12VDC.pdf |