Infineon Technologies SPD07N60C3BTMA1
- 제조업체 부품 번호
- SPD07N60C3BTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SPD07N60C3BTMA1 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SPD07N60C3BTMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. SPD07N60C3BTMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SPD07N60C3BTMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SPD07N60C3BTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SPD07N60C3BTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD07N60C3BTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD,SPU07N60C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 350µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP000077605 SP000313947 SPD07N60C3 SPD07N60C3INTR SPD07N60C3INTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD07N60C3BTMA1 | |
| 관련 링크 | SPD07N60C, SPD07N60C3BTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
SPD07N60C3BTMA1 의 관련 제품
 | ESMM421VSN181MR25S | 180µF 420V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1.842 Ohm 3000 Hrs @ 85°C | ESMM421VSN181MR25S.pdf | |
 | DEA1X3A470JP2A | 47pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.177" Dia(4.50mm) | DEA1X3A470JP2A.pdf | |
 | P6SMB56A-E3/5B | TVS DIODE 47.8VWM 77VC SMB | P6SMB56A-E3/5B.pdf | |
 | RW3R0DBR100JE | RES SMD 0.1 OHM 5% 3W J LEAD | RW3R0DBR100JE.pdf | |
| HDU/HDE-72MB-1 | HDU/HDE-72MB-1 Tyco con | HDU/HDE-72MB-1.pdf | |
| PBY160808T-250Y-S | PBY160808T-250Y-S CHILISIN SMD or Through Hole | PBY160808T-250Y-S.pdf | |
| RB411D / | RB411D / ROHM SOT-23 | RB411D /.pdf | |
| 16F819-I/SS | 16F819-I/SS ORIGINAL SSOP | 16F819-I/SS.pdf | |
| MAX8212CPA+ | MAX8212CPA+ MAXIM DIP-8 | MAX8212CPA+.pdf | |
| 2SC2712 LG | 2SC2712 LG CJ SOT23 | 2SC2712 LG.pdf | |
| CUP2918 | CUP2918 NEC TO-252 | CUP2918.pdf | |
| CL10C3R6BB8ANNC | CL10C3R6BB8ANNC SAMSUNG SMD | CL10C3R6BB8ANNC.pdf |