창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD06N80C3ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD06N80C3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 785pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117772 SPD06N80C3ATMA1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD06N80C3ATMA1 | |
관련 링크 | SPD06N80C, SPD06N80C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F48011CST | 48MHz ±10ppm 수정 시리즈 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48011CST.pdf | |
![]() | RC1218DK-07619RL | RES SMD 619 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-07619RL.pdf | |
![]() | 28763+ | 28763+ DELCO ZIP | 28763+.pdf | |
![]() | MKA10VC221MH10TP | MKA10VC221MH10TP NIPPON SMD or Through Hole | MKA10VC221MH10TP.pdf | |
![]() | AAT3522IGY-2.93-200- | AAT3522IGY-2.93-200- AAT SOT23-3 | AAT3522IGY-2.93-200-.pdf | |
![]() | ST7SCR1T1/OEI | ST7SCR1T1/OEI ST LQFP6414x14x1.41 | ST7SCR1T1/OEI.pdf | |
![]() | E10036 | E10036 ORIGINAL SMD or Through Hole | E10036.pdf | |
![]() | NPI52C6R8MTRF | NPI52C6R8MTRF NIC SMD | NPI52C6R8MTRF.pdf | |
![]() | LP3996SD-1833 NOPB | LP3996SD-1833 NOPB NS SMD or Through Hole | LP3996SD-1833 NOPB.pdf | |
![]() | 5.4*18 | 5.4*18 ORIGINAL SMD or Through Hole | 5.4*18.pdf | |
![]() | HS7318-A | HS7318-A HOLTEK TO92 SOT89 SOT23 | HS7318-A.pdf | |
![]() | LXT3108BE B2 | LXT3108BE B2 LXT BGA | LXT3108BE B2.pdf |