창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPD06N60C3ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPD06N60C3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 3.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 260µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 74W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-1 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001117770 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPD06N60C3ATMA1 | |
| 관련 링크 | SPD06N60C, SPD06N60C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMF601M0000FKEB70 | RES 1M OHM 1W 1% AXIAL | CMF601M0000FKEB70.pdf | |
![]() | 10019/26 | 10019/26 ERICSSON SMD or Through Hole | 10019/26.pdf | |
![]() | LC4128ZC42M2-75IB | LC4128ZC42M2-75IB LATTICE BGA | LC4128ZC42M2-75IB.pdf | |
![]() | CXA1803 | CXA1803 SONY SOP | CXA1803.pdf | |
![]() | S-80829CLUA | S-80829CLUA SIEKO SOT-89 | S-80829CLUA.pdf | |
![]() | AR1100BRD | AR1100BRD MICROCHIP SMD or Through Hole | AR1100BRD.pdf | |
![]() | IC-BA6849FM-E2 | IC-BA6849FM-E2 ORIGINAL SMD or Through Hole | IC-BA6849FM-E2.pdf | |
![]() | ST10V-TA | ST10V-TA ST DO-35 | ST10V-TA.pdf | |
![]() | B82462G4223M000 | B82462G4223M000 EPCOS SMD | B82462G4223M000.pdf | |
![]() | 1856-1 | 1856-1 ORIGINAL CDIP8 | 1856-1.pdf | |
![]() | HM5212160TD-10 | HM5212160TD-10 HITACHI TSOP | HM5212160TD-10.pdf | |
![]() | M6MUV27BM67DDG | M6MUV27BM67DDG RENESAS BGA | M6MUV27BM67DDG.pdf |