창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD04N50C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD04N50C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Halogen Free Upgrade 22/Aug/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 470pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000313945 SPD04N50C3BTMA1 SPD04N50C3INTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD04N50C3 | |
관련 링크 | SPD04N, SPD04N50C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1UF25V/B | 1UF25V/B AVX SMD or Through Hole | 1UF25V/B.pdf | |
![]() | MP2602DQ-LF-ZTR | MP2602DQ-LF-ZTR MPS SMD or Through Hole | MP2602DQ-LF-ZTR.pdf | |
![]() | HZM6.2NB2TL | HZM6.2NB2TL RENESAS/HITACHI SMD or Through Hole | HZM6.2NB2TL.pdf | |
![]() | INA2118U | INA2118U BB SOP16 | INA2118U.pdf | |
![]() | 27S29ADC | 27S29ADC RochesterElectron SMD or Through Hole | 27S29ADC.pdf | |
![]() | S558-5999-AR-F | S558-5999-AR-F ORIGINAL SMD or Through Hole | S558-5999-AR-F.pdf | |
![]() | PPCI38313 | PPCI38313 MOT SMD or Through Hole | PPCI38313.pdf | |
![]() | MCH315CN682KK | MCH315CN682KK ROHM SMD | MCH315CN682KK.pdf | |
![]() | XM681000BLP-7 | XM681000BLP-7 SEC DIP | XM681000BLP-7.pdf | |
![]() | A991B0334Y | A991B0334Y STM QFP-100 | A991B0334Y.pdf | |
![]() | PJP600 | PJP600 PEC TO-220 | PJP600.pdf |