창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPD03N60C3ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPD03N60C3, SPU03N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 135µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-1 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001117760 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPD03N60C3ATMA1 | |
관련 링크 | SPD03N60C, SPD03N60C3ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | TR2/C515-800-R | FUSE GLASS 800MA 250VAC 2AG | TR2/C515-800-R.pdf | |
![]() | RCP2512B13R0JS2 | RES SMD 13 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512B13R0JS2.pdf | |
![]() | RS00512R00FE73 | RES 12 OHM 5W 1% WW AXIAL | RS00512R00FE73.pdf | |
![]() | C2A1P-80VDC | C2A1P-80VDC American SMD or Through Hole | C2A1P-80VDC.pdf | |
![]() | D82288-1 | D82288-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | D82288-1.pdf | |
![]() | M95160W3 | M95160W3 STM SMD-8 | M95160W3.pdf | |
![]() | 1X1118GEZZ | 1X1118GEZZ SHARP SMD or Through Hole | 1X1118GEZZ.pdf | |
![]() | FAR-F5CH-902M50-L2EW | FAR-F5CH-902M50-L2EW FUJUTSU SMD3.83.8 | FAR-F5CH-902M50-L2EW.pdf | |
![]() | ZC432702CFN | ZC432702CFN MOT PLCC-52 | ZC432702CFN.pdf | |
![]() | TA2151FN(EL | TA2151FN(EL TOSHIBA SMD or Through Hole | TA2151FN(EL.pdf | |
![]() | BFD3565R2BD8G | BFD3565R2BD8G SAMHWA SMD or Through Hole | BFD3565R2BD8G.pdf | |
![]() | VJ9097Y562KFBAR | VJ9097Y562KFBAR VISHAY SMD | VJ9097Y562KFBAR.pdf |