Infineon Technologies SPB80P06P G

SPB80P06P G
제조업체 부품 번호
SPB80P06P G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
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내부 부품 번호EIS-SPB80P06P G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SPB80P06P G
카탈로그 페이지 1615 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열SIPMOS®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs23m옴 @ 64A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 5.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs173nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5033pF @ 25V
전력 - 최대340W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름SP000096088
SPB80P06P G-ND
SPB80P06PG
SPB80P06PGATMA1
SPB80P06PGINTR
SPB80P06PGXT
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SPB80P06P G
관련 링크SPB80P, SPB80P06P G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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