창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPB100N03S2-03 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPB100N03S2-03G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7020pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000200140 SPB100N03S203GXT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPB100N03S2-03 G | |
관련 링크 | SPB100N03, SPB100N03S2-03 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | VS-12CWQ03FNTRR-M3 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 6A DPAK | VS-12CWQ03FNTRR-M3.pdf | |
![]() | RT1206CRE0733RL | RES SMD 33 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE0733RL.pdf | |
![]() | AT1206CRD073K92L | RES SMD 3.92KOHM 0.25% 1/4W 1206 | AT1206CRD073K92L.pdf | |
![]() | RACF164DJT8K20 | RES ARRAY 4 RES 8.2K OHM 1206 | RACF164DJT8K20.pdf | |
![]() | E5310YBDIT | E5310YBDIT atmel SMD or Through Hole | E5310YBDIT.pdf | |
![]() | K4H280438C-TLA0 | K4H280438C-TLA0 SAMSUNG TSOP | K4H280438C-TLA0.pdf | |
![]() | IDT7133SA55JI | IDT7133SA55JI IDT PLCC68 | IDT7133SA55JI.pdf | |
![]() | KTA1862 | KTA1862 KEC TO-252 | KTA1862 .pdf | |
![]() | SAF1V16 | SAF1V16 ST BGA | SAF1V16.pdf | |
![]() | EP910DM | EP910DM ALTERA DIP | EP910DM.pdf | |
![]() | DF9A-11P-1V(22) | DF9A-11P-1V(22) HRS SMD or Through Hole | DF9A-11P-1V(22).pdf | |
![]() | MEC8-120-01-C-DV-LC-TR | MEC8-120-01-C-DV-LC-TR ORIGINAL NA | MEC8-120-01-C-DV-LC-TR.pdf |