Infineon Technologies SPB07N60C3

SPB07N60C3
제조업체 부품 번호
SPB07N60C3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
SPB07N60C3 가격 및 조달

가능 수량

9550 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 992.17198
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SPB07N60C3 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. SPB07N60C3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SPB07N60C3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SPB07N60C3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SPB07N60C3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SPB07N60C3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SPB07N60C3
제품 교육 모듈CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열CoolMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7.3A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs600m옴 @ 4.6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.9V @ 350µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs27nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds790pF @ 25V
전력 - 최대83W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름SP000013518
SPB07N60C3ATMA1
SPB07N60C3INTR
SPB07N60C3XT
SPB07N60C3XT-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SPB07N60C3
관련 링크SPB07N, SPB07N60C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
SPB07N60C3 의 관련 제품
RES SMD 499K OHM 1% 1/4W 1206 MCR18ERTF4993.pdf
RES SMD 73.2 OHM 1W 1812 WIDE AA1218FK-0773R2L.pdf
RES SMD 10K OHM 0.05% 1/5W 1506 Y145510K0000A9R.pdf
SDS0804TTEB390Y KOA SMD or Through Hole SDS0804TTEB390Y.pdf
LM56CM NS SOP8 LM56CM.pdf
3611 M1UJ ON MSOP-10 3611 M1UJ.pdf
3611T8R2K TycoElectronics SMD 3611T8R2K.pdf
PA28F200B5-B80 INTEL SOP44 PA28F200B5-B80.pdf
27.145M ORIGINAL SMD or Through Hole 27.145M.pdf
MCZ33904B3EK FREESCALE SMD or Through Hole MCZ33904B3EK.pdf
TCA0402LOP. INFINEON SMD TCA0402LOP..pdf
NVC1009DR2G ONS SOP8 NVC1009DR2G.pdf