창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPB04N60C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPB04N60C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 50W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP000013533 SPB04N60C3ATMA1 SPB04N60C3INTR SPB04N60C3XT SPB04N60C3XTINTR SPB04N60C3XTINTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPB04N60C3 | |
관련 링크 | SPB04N, SPB04N60C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 2482-000-X7U0-102PLF | 1000pF Feed Through Capacitor | 2482-000-X7U0-102PLF.pdf | |
![]() | RMCF2512JT560R | RES SMD 560 OHM 5% 1W 2512 | RMCF2512JT560R.pdf | |
![]() | GC1302AP | GC1302AP ORIGINAL SOP-8 | GC1302AP.pdf | |
![]() | PMB2800FV2.4P2 | PMB2800FV2.4P2 SIEMENS TQFP144 | PMB2800FV2.4P2.pdf | |
![]() | LTS1005A | LTS1005A TOSHIBA SMD or Through Hole | LTS1005A.pdf | |
![]() | UFR10080 | UFR10080 microsemi DO-5 | UFR10080.pdf | |
![]() | DEI1026 | DEI1026 DEI SOP16 | DEI1026.pdf | |
![]() | 2SC6074 | 2SC6074 PANASONIC TO-3P | 2SC6074.pdf | |
![]() | MC34119AP | MC34119AP MOT SMD or Through Hole | MC34119AP.pdf | |
![]() | STB4N80ET4 | STB4N80ET4 ON SMD or Through Hole | STB4N80ET4.pdf | |
![]() | 051296-4041 | 051296-4041 Molex N A | 051296-4041.pdf | |
![]() | 03640-100A361-1 | 03640-100A361-1 TI SOP | 03640-100A361-1.pdf |