창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPB02N60S5ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPB02N60S5 | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 18/Nov/2011 | |
카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 80µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SPB02N60S5INCT SPB02N60S5INCT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPB02N60S5ATMA1 | |
관련 링크 | SPB02N60S, SPB02N60S5ATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 53D471F100GJ6 | 470µF 100V Aluminum Capacitors Axial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 53D471F100GJ6.pdf | |
![]() | MCR006YZPJ103 | RES SMD 10K OHM 5% 1/20W 0201 | MCR006YZPJ103.pdf | |
![]() | TLV2264ID | TLV2264ID TI SOP | TLV2264ID.pdf | |
![]() | LD27C256-200V05 | LD27C256-200V05 INTEL DIP | LD27C256-200V05.pdf | |
![]() | SPMA200A-ML3W1 | SPMA200A-ML3W1 SUNPLUS QFN | SPMA200A-ML3W1.pdf | |
![]() | 622-2615 | 622-2615 ORIGINAL SMD or Through Hole | 622-2615.pdf | |
![]() | AD7274 | AD7274 AD SMD or Through Hole | AD7274.pdf | |
![]() | NTZY-6 | NTZY-6 ic sop8 | NTZY-6.pdf | |
![]() | UPD23C64040ALGY-543-MJH | UPD23C64040ALGY-543-MJH NEC SMD or Through Hole | UPD23C64040ALGY-543-MJH.pdf | |
![]() | PNX5225EL6301AUM | PNX5225EL6301AUM ST BGA | PNX5225EL6301AUM.pdf | |
![]() | CN337 | CN337 ORIGINAL SMD or Through Hole | CN337.pdf | |
![]() | VER-50 | VER-50 HARRIS DIP | VER-50.pdf |