창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPA21N50C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPP21N50C3, SPI21N50C3, SPA21N50C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 560V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 13.1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 34.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000216364 SPA21N50C3IN SPA21N50C3X SPA21N50C3XK SPA21N50C3XKSA1 SPA21N50C3XTIN SPA21N50C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPA21N50C3 | |
| 관련 링크 | SPA21N, SPA21N50C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | AX1250E | AX1250E AXELITE SOP8 | AX1250E.pdf | |
![]() | 5329BRZ | 5329BRZ EL TSSOP28 | 5329BRZ.pdf | |
![]() | EM84502AP(EM84502APX | EM84502AP(EM84502APX ELANMICROELECTRONICSCORP SMD or Through Hole | EM84502AP(EM84502APX.pdf | |
![]() | FP6135S-30S5GTR | FP6135S-30S5GTR FITIPOWER SOT23-5 | FP6135S-30S5GTR.pdf | |
![]() | 1491-35325-BXBQGA | 1491-35325-BXBQGA IQG NA | 1491-35325-BXBQGA.pdf | |
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![]() | EMY1-W | EMY1-W ORIGINAL SMD or Through Hole | EMY1-W.pdf | |
![]() | 790D336X0016B2 | 790D336X0016B2 VISHAY SMD | 790D336X0016B2.pdf | |
![]() | TZY2R200A001R00 2X2-20P | TZY2R200A001R00 2X2-20P ORIGINAL 2X2 | TZY2R200A001R00 2X2-20P.pdf | |
![]() | MM74HC597 | MM74HC597 Fairchild DIP-16 | MM74HC597.pdf |