창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPA15N65C3XKSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPA15N65C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 9.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 675µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000293730 SPA15N65C3 SPA15N65C3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPA15N65C3XKSA1 | |
| 관련 링크 | SPA15N65C, SPA15N65C3XKSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CMF55112K50BEEK | RES 112.5K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55112K50BEEK.pdf | |
![]() | E2S-W22B 1M | Inductive Proximity Sensor 0.098" (2.5mm) IP67 Module | E2S-W22B 1M.pdf | |
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![]() | F930E227MCC | F930E227MCC nichicon SMD or Through Hole | F930E227MCC.pdf | |
![]() | BTB08-1000BW | BTB08-1000BW ST TO-220 | BTB08-1000BW.pdf | |
![]() | MMK7.5102K1000K00L4BULK | MMK7.5102K1000K00L4BULK KEMET DIP | MMK7.5102K1000K00L4BULK.pdf | |
![]() | C4520X7R3D102KT | C4520X7R3D102KT TDK SMD or Through Hole | C4520X7R3D102KT.pdf | |
![]() | A2228 | A2228 ORIGINAL DIP8 | A2228.pdf | |
![]() | 4UA-1-X | 4UA-1-X AMI BGA | 4UA-1-X.pdf | |
![]() | 9190131541 | 9190131541 BRG SMD or Through Hole | 9190131541.pdf | |
![]() | MBM29F002ST-90PTN | MBM29F002ST-90PTN FUJITSU TSSOP-40 | MBM29F002ST-90PTN.pdf |