창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SPA04N80C3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SPA04N80C3 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SP000216300 SPA04N80C3IN SPA04N80C3X SPA04N80C3XK SPA04N80C3XKSA1 SPA04N80C3XTIN SPA04N80C3XTIN-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SPA04N80C3 | |
관련 링크 | SPA04N, SPA04N80C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 416F38411CKR | 38.4MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38411CKR.pdf | |
![]() | MMB02070C4701FB700 | RES SMD 4.7K OHM 1% 1W 0207 | MMB02070C4701FB700.pdf | |
![]() | 4610M-102-102LF | RES ARRAY 5 RES 1K OHM 10SIP | 4610M-102-102LF.pdf | |
![]() | T25C8 | T25C8 SAMRES T0-220 | T25C8.pdf | |
![]() | HCB3216KF-151T20 | HCB3216KF-151T20 TAI-TECHADVANCEDELECTRONICS 1A | HCB3216KF-151T20.pdf | |
![]() | HI2-0200-9 | HI2-0200-9 HAR CAN10 | HI2-0200-9.pdf | |
![]() | 405LSP | 405LSP AmplicaInc SMD or Through Hole | 405LSP.pdf | |
![]() | 74fct833aso | 74fct833aso idt sop | 74fct833aso.pdf | |
![]() | AZW55W | AZW55W ORIGINAL QFN14 | AZW55W.pdf | |
![]() | rc2512jk071r5l | rc2512jk071r5l yageo SMD or Through Hole | rc2512jk071r5l.pdf |