창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SPA04N80C3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SPA04N80C3 | |
| 제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
| PCN 설계/사양 | LeadFrame Design Chg 25/May/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Fab/Test Site Transfer 28/May/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1610 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 240µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 38W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO220-FP | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | SP000216300 SPA04N80C3IN SPA04N80C3X SPA04N80C3XK SPA04N80C3XKSA1 SPA04N80C3XTIN SPA04N80C3XTIN-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SPA04N80C3 | |
| 관련 링크 | SPA04N, SPA04N80C3 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 55F050-IVBTB | FUSE X-LMTR 50A 5.5KV 2"D INDOOR | 55F050-IVBTB.pdf | |
| FSP300KB-470R | RES 470 OHM 3W 10% AXIAL | FSP300KB-470R.pdf | ||
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![]() | P51-100-A-L-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-L-D-4.5V-000-000.pdf | |
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![]() | SIL | SIL SILABS QFN-20 | SIL.pdf | |
![]() | 1N5364B 33V | 1N5364B 33V ON DO-15 | 1N5364B 33V.pdf | |
![]() | 12062F105M8BB0 | 12062F105M8BB0 Philips SMD or Through Hole | 12062F105M8BB0.pdf | |
![]() | MBM29F400BC-70PFTN-SFK | MBM29F400BC-70PFTN-SFK FUJITSU QFP | MBM29F400BC-70PFTN-SFK.pdf | |
![]() | 08-0617-02 | 08-0617-02 SISCO BGA | 08-0617-02.pdf | |
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