창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SP8M4FU6TB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SP8M4 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A, 7A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1190pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP8M4FU6TB-ND SP8M4FU6TBTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SP8M4FU6TB | |
| 관련 링크 | SP8M4F, SP8M4FU6TB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2X5R1A684K080AA | 0.68µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2X5R1A684K080AA.pdf | |
![]() | CBR08C680F5GAC | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C680F5GAC.pdf | |
![]() | MLG0603S0N5CTD25 | 0.5nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 100 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S0N5CTD25.pdf | |
![]() | 24C02N10SI-2.7 | 24C02N10SI-2.7 AT SOP-8 | 24C02N10SI-2.7.pdf | |
![]() | HW106C-R | HW106C-R HITACHI SOT143 | HW106C-R.pdf | |
![]() | GAL12V10D-25 | GAL12V10D-25 Lattice DIP | GAL12V10D-25.pdf | |
![]() | LM79M05CTNOPB | LM79M05CTNOPB nsc SMD or Through Hole | LM79M05CTNOPB.pdf | |
![]() | RLZ TE-11 3.3B | RLZ TE-11 3.3B ROHM LL34 | RLZ TE-11 3.3B.pdf | |
![]() | REF634P | REF634P BB DIP8 | REF634P.pdf | |
![]() | 16-680-190T | 16-680-190T ALTERA SMD or Through Hole | 16-680-190T.pdf | |
![]() | AD6H | AD6H ORIGINAL SMD or Through Hole | AD6H.pdf | |
![]() | HP22601 | HP22601 AGILENT DIPSMD-8 | HP22601.pdf |