창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SP8J66TB1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 2,500 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SP8J66TB1 | |
관련 링크 | SP8J6, SP8J66TB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CGA3E2C0G1H822J080AA | 8200pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H822J080AA.pdf | |
![]() | BZT52C5V6-HE3-18 | DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123 | BZT52C5V6-HE3-18.pdf | |
![]() | SP.1615.25.4.A.02 | 1.615GHz Ceramic Patch RF Antenna 4dBi Solder Surface Mount | SP.1615.25.4.A.02.pdf | |
![]() | TMCTXF1E156MTR | TMCTXF1E156MTR ORIGINAL F | TMCTXF1E156MTR.pdf | |
![]() | HSMG-C650(K) | HSMG-C650(K) AGILENT ORIGINAL | HSMG-C650(K).pdf | |
![]() | BU7611KS | BU7611KS ROHM QFP208 | BU7611KS.pdf | |
![]() | NJL5165KA-H2 | NJL5165KA-H2 JRC SMD or Through Hole | NJL5165KA-H2.pdf | |
![]() | LK0373B | LK0373B SANYO DIP | LK0373B.pdf | |
![]() | PCM1734E1 | PCM1734E1 BURRBROWN SMD or Through Hole | PCM1734E1.pdf | |
![]() | MSL3101 | MSL3101 ORIGINAL SMD or Through Hole | MSL3101.pdf | |
![]() | R3112Q231A-TR-FE | R3112Q231A-TR-FE RICOH SC-82AB | R3112Q231A-TR-FE.pdf | |
![]() | AUT0832 | AUT0832 SAMSUNG QFP | AUT0832.pdf |