창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SN101M063ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SN Type | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | SN | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 100µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 63V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 1.59옴 @ 120Hz | |
수명 @ 온도 | 1000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | 양극 | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 410mA @ 120Hz | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
크기/치수 | 0.630" Dia(16.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.984"(25.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SN101M063ST | |
관련 링크 | SN101M, SN101M063ST 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
![]() | VS-MBRD660CT-M3 | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DPAK | VS-MBRD660CT-M3.pdf | |
![]() | TCDT1110G | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | TCDT1110G.pdf | |
![]() | IRKT72-12 | IRKT72-12 IR SMD or Through Hole | IRKT72-12.pdf | |
![]() | LDB20C500A2400 | LDB20C500A2400 MURATA 1206 | LDB20C500A2400.pdf | |
![]() | 100174F | 100174F S CDIP16 | 100174F.pdf | |
![]() | STBS011 | STBS011 EIC SMA | STBS011.pdf | |
![]() | BS-902AS-24VDC | BS-902AS-24VDC Bestar SMD or Through Hole | BS-902AS-24VDC.pdf | |
![]() | HDT725032VLA360 | HDT725032VLA360 HitachiSemiconduc SMD or Through Hole | HDT725032VLA360.pdf | |
![]() | LM319AH/883B | LM319AH/883B NS CAN10 | LM319AH/883B.pdf | |
![]() | MB86391PSC-G-BNDE1 | MB86391PSC-G-BNDE1 ORIGINAL QFP | MB86391PSC-G-BNDE1.pdf | |
![]() | YG902C23 | YG902C23 FUJI TO-220 | YG902C23.pdf | |
![]() | TH7122.2 | TH7122.2 MELEXIS QFP32 | TH7122.2.pdf |