창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMZJ3798B-M3/5B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMZJ3788B thru SMZJ3809B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 19옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | DO-214AA(SMBJ) | |
표준 포장 | 3,200 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMZJ3798B-M3/5B | |
관련 링크 | SMZJ3798B, SMZJ3798B-M3/5B 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | ETQ-P6F3R5SFA | 3.5µH Shielded Wirewound Inductor 9.3A 6.48 mOhm Max Nonstandard | ETQ-P6F3R5SFA.pdf | |
![]() | RNCP1206FTD4K87 | RES SMD 4.87K OHM 1% 1/2W 1206 | RNCP1206FTD4K87.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF8450U | RES SMD 845 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF8450U.pdf | |
![]() | SF10LC40 | SF10LC40 SHINDENG SMD or Through Hole | SF10LC40.pdf | |
![]() | IXTZ42N20MB | IXTZ42N20MB IXY SMD or Through Hole | IXTZ42N20MB.pdf | |
![]() | PCF8563T/F4118 | PCF8563T/F4118 N/A SMD or Through Hole | PCF8563T/F4118.pdf | |
![]() | SC12134AF | SC12134AF ORIGINAL IC | SC12134AF.pdf | |
![]() | AD8062ARM-REE7 | AD8062ARM-REE7 AD MSOP-8 | AD8062ARM-REE7.pdf | |
![]() | B37875-K9475-Z62 | B37875-K9475-Z62 EPCOS SMD or Through Hole | B37875-K9475-Z62.pdf | |
![]() | 2N1124 | 2N1124 MOT CAN | 2N1124.pdf | |
![]() | MBM29LV800BE70PBT-E1 | MBM29LV800BE70PBT-E1 SPANSION N A | MBM29LV800BE70PBT-E1.pdf | |
![]() | LM358N(CA358E) | LM358N(CA358E) HARRIS DIP-8P | LM358N(CA358E).pdf |