창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMUN5116DW1T1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MUN5116DW1, NSBA143TDXV6 | |
PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
주파수 - 트랜지션 | - | |
전력 - 최대 | 187mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMUN5116DW1T1G | |
관련 링크 | SMUN5116, SMUN5116DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
MKP385224160JDI2B0 | 2400pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385224160JDI2B0.pdf | ||
403I35D40M00000 | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35D40M00000.pdf | ||
RNF14FTD124K | RES 124K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD124K.pdf | ||
MADP-042305-130600 | MADP-042305-130600 MA/COM nul | MADP-042305-130600.pdf | ||
FTR-F2AK009T | FTR-F2AK009T ORIGINAL SMD or Through Hole | FTR-F2AK009T.pdf | ||
PHP55N03LTA | PHP55N03LTA PH SOT78TO-220AB | PHP55N03LTA.pdf | ||
S54221F | S54221F S CDIP16 | S54221F.pdf | ||
EN80387SL | EN80387SL INTEL PLCC | EN80387SL.pdf | ||
PMB6752E | PMB6752E SIEMENS BGA | PMB6752E.pdf | ||
BCV62BE6327XT | BCV62BE6327XT Infineon SMD or Through Hole | BCV62BE6327XT.pdf | ||
LTC1435IGPBF | LTC1435IGPBF LINEARTECHNOLOGY SMD or Through Hole | LTC1435IGPBF.pdf |