창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMMSZ5252BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
표준 포장 | 3,000 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 33옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 18V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMMSZ5252BT1G | |
관련 링크 | SMMSZ52, SMMSZ5252BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | AD7001ES | AD7001ES AD QFP | AD7001ES.pdf | |
![]() | LMC6482AIN/NOPB | LMC6482AIN/NOPB NS DIP-8 | LMC6482AIN/NOPB.pdf | |
![]() | R08 5% 33K | R08 5% 33K ORIGINAL SOP | R08 5% 33K.pdf | |
![]() | MLF1005L1R2KT | MLF1005L1R2KT TDK SMD or Through Hole | MLF1005L1R2KT.pdf | |
![]() | RAGE128VR 215R4VBSA22 | RAGE128VR 215R4VBSA22 ATI BGA | RAGE128VR 215R4VBSA22.pdf | |
![]() | 54DMQB | 54DMQB F CDIP | 54DMQB.pdf | |
![]() | 1828740-1 | 1828740-1 ORIGINAL NEW | 1828740-1.pdf | |
![]() | ES2839S-TM | ES2839S-TM ESS QFP | ES2839S-TM.pdf | |
![]() | PM7819-BI | PM7819-BI PMC BGA | PM7819-BI.pdf | |
![]() | SBL20V40CTL | SBL20V40CTL VISHAY TO-220 | SBL20V40CTL.pdf | |
![]() | EDI88128LP70EB | EDI88128LP70EB ORIGINAL CDIP | EDI88128LP70EB.pdf | |
![]() | TO163842 | TO163842 RALTRON SMD or Through Hole | TO163842.pdf |