창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMG25VB681M10X20LL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | SMG25VB681M10X20LL | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | SMG25VB681M10X20LL | |
| 관련 링크 | SMG25VB681, SMG25VB681M10X20LL 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | K680J15C0GK5TL2 | 68pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K680J15C0GK5TL2.pdf | |
![]() | SR152A6R8DARTR1 | 6.8pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A6R8DARTR1.pdf | |
![]() | MAGX-002731-030L00 | TRANSISTOR GAN 30WPK 2.7-3.1GHZ | MAGX-002731-030L00.pdf | |
![]() | ISC1812RQ8R2J | 8.2µH Shielded Wirewound Inductor 292mA 820 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812RQ8R2J.pdf | |
![]() | 2892520 | RELAY GEN PUR | 2892520.pdf | |
![]() | JLF-TD3-A31 | JLF-TD3-A31 ORIGINAL SMD or Through Hole | JLF-TD3-A31.pdf | |
![]() | TA28C64-25SI | TA28C64-25SI N/A SOP28 | TA28C64-25SI.pdf | |
![]() | 23-056E6-00 | 23-056E6-00 DIP- N A | 23-056E6-00.pdf | |
![]() | HM62M256AK-12 | HM62M256AK-12 HMC DIP | HM62M256AK-12.pdf | |
![]() | T496D686K010ATE400 | T496D686K010ATE400 KEMET SMD | T496D686K010ATE400.pdf | |
![]() | RN732ATTD8662B25 | RN732ATTD8662B25 KOA SMD | RN732ATTD8662B25.pdf |