창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMCJ5656E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMC(G,J)5629-5665A,e3 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | 1 | |
양방향 채널 | - | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 73.7V | |
전압 - 항복(최소) | 81.9V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 131V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | - | |
전력 - 피크 펄스 | 1500W(1.5kW) | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
공급 장치 패키지 | DO-214AB(SMCJ) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMCJ5656E3/TR13 | |
관련 링크 | SMCJ5656E, SMCJ5656E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
SI8261ABD-C-IM | 600mA Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 8-LGA (10x12.5) | SI8261ABD-C-IM.pdf | ||
B57891S223J | NTC Thermistor 22k Disc, 4.5mm Dia x 4.5mm W | B57891S223J.pdf | ||
CS51211DR2G | CS51211DR2G ON SMD | CS51211DR2G.pdf | ||
75844-302-10LF | 75844-302-10LF FCIELX SMD or Through Hole | 75844-302-10LF.pdf | ||
IRF4620PBF | IRF4620PBF IR SMD or Through Hole | IRF4620PBF.pdf | ||
LTC6652BHMS8-1.25#TRPBF | LTC6652BHMS8-1.25#TRPBF LT MSOP8 | LTC6652BHMS8-1.25#TRPBF.pdf | ||
LT3433EFETR | LT3433EFETR LT SMD or Through Hole | LT3433EFETR.pdf | ||
M58487AP | M58487AP MIT SMD or Through Hole | M58487AP.pdf | ||
15435370 | 15435370 Delphi SMD or Through Hole | 15435370.pdf | ||
P2703UC | P2703UC LITTELFUS DIP8 | P2703UC.pdf |