창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5935A/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5913-5956,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 27V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 23옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 20.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5935A/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5935, SMBJ5935A/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | VBT5200-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 5A 200V TO-263AB | VBT5200-E3/4W.pdf | |
![]() | AT0805BRD079K09L | RES SMD 9.09K OHM 0.1% 1/8W 0805 | AT0805BRD079K09L.pdf | |
![]() | CPL03R1000JE14 | RES 0.1 OHM 3W 5% AXIAL | CPL03R1000JE14.pdf | |
![]() | LBR050 | LBR050 ORIGINAL c | LBR050.pdf | |
![]() | A03218A2 | A03218A2 ORIGINAL SOP | A03218A2.pdf | |
![]() | EPM7192EGM883B160-20 | EPM7192EGM883B160-20 ORIGINAL SMD or Through Hole | EPM7192EGM883B160-20.pdf | |
![]() | SL1611 | SL1611 PLESSEY DIP-8 | SL1611.pdf | |
![]() | PSCEV1HA047SJ | PSCEV1HA047SJ RUBYCON SMD or Through Hole | PSCEV1HA047SJ.pdf | |
![]() | GA5007-69 | GA5007-69 ORIGINAL SMD or Through Hole | GA5007-69.pdf | |
![]() | CDSOT23-T05 NOPB | CDSOT23-T05 NOPB Bourns SOT23 | CDSOT23-T05 NOPB.pdf | |
![]() | MB214M020PFQ-G-BND | MB214M020PFQ-G-BND FUJITSU QFP | MB214M020PFQ-G-BND.pdf | |
![]() | 55325AJ | 55325AJ TI CDIP16 | 55325AJ.pdf |