창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5926BE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMB(G,J)5913-5956,e3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 5.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 8.4V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5926BE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5926B, SMBJ5926BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1537-26J | 3.9µH Unshielded Molded Inductor 310mA 2.3 Ohm Max Axial | 1537-26J.pdf | |
![]() | C512T-WNN | C512T-WNN CREE ROHS | C512T-WNN.pdf | |
![]() | A82-1S | A82-1S MA/COM SMD or Through Hole | A82-1S.pdf | |
![]() | MC9632EP | MC9632EP MOT SOP | MC9632EP.pdf | |
![]() | LJ--DMD-020 | LJ--DMD-020 ORIGINAL SMD or Through Hole | LJ--DMD-020.pdf | |
![]() | MN18181.2-499 | MN18181.2-499 SAMSUNG QFN | MN18181.2-499.pdf | |
![]() | TMX470R1F376PBK | TMX470R1F376PBK TI QFP | TMX470R1F376PBK.pdf | |
![]() | 74LS386PC | 74LS386PC NS SMD or Through Hole | 74LS386PC.pdf | |
![]() | VY21872B | VY21872B MOBILITY QFP | VY21872B.pdf | |
![]() | BLM11HB601SDPT1M00-09 | BLM11HB601SDPT1M00-09 MURATA 0603-601 | BLM11HB601SDPT1M00-09.pdf | |
![]() | IP3337CX18 | IP3337CX18 NXP BGA | IP3337CX18.pdf |