창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5923BE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5913-5956,e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 6.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5923BE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5923B, SMBJ5923BE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 4P200F35IDT | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P200F35IDT.pdf | |
![]() | PRG3216P-4420-B-T5 | RES SMD 442 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-4420-B-T5.pdf | |
![]() | UPB74LS367C | UPB74LS367C NEC SMD or Through Hole | UPB74LS367C.pdf | |
![]() | PT281512 | PT281512 ORIGINAL DIP | PT281512.pdf | |
![]() | GD75232DRW | GD75232DRW TI SOP | GD75232DRW.pdf | |
![]() | 1-499911-0 | 1-499911-0 Tyco/AMP NA | 1-499911-0.pdf | |
![]() | 5M0365RS | 5M0365RS ORIGINAL TO-220 | 5M0365RS.pdf | |
![]() | FLD130G1AKMX051 | FLD130G1AKMX051 FUJITSU SMD or Through Hole | FLD130G1AKMX051.pdf | |
![]() | VKC03-12S15 | VKC03-12S15 ASTRODYNE DIP24 | VKC03-12S15.pdf | |
![]() | 2SC3930 VC | 2SC3930 VC ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC3930 VC.pdf | |
![]() | AC30-R27K-RC | AC30-R27K-RC ALLIED NA | AC30-R27K-RC.pdf | |
![]() | LQH3N121K34 | LQH3N121K34 MURATA SMD or Through Hole | LQH3N121K34.pdf |