창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5383CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 150V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 330옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 108V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5383CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5383C, SMBJ5383CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | EMVY6R3ADA102MHA0G | 1000µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | EMVY6R3ADA102MHA0G.pdf | |
![]() | TV06B181J-G | TVS DIODE 180VWM 291.6VC SMB | TV06B181J-G.pdf | |
![]() | 520R20DA26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave VCTCXO Oscillator Surface Mount 3V 2.5mA | 520R20DA26M0000.pdf | |
![]() | ASVV-50.000MHZ-L50-N102-T | 50MHz CMOS, TTL VCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | ASVV-50.000MHZ-L50-N102-T.pdf | |
![]() | IL252-X016 | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | IL252-X016.pdf | |
![]() | IDT74FCT157TSO | IDT74FCT157TSO IDT SOP7.2 | IDT74FCT157TSO.pdf | |
![]() | ER4525 | ER4525 EMBLAZE BGA | ER4525 .pdf | |
![]() | LXP2181AJE | LXP2181AJE LEVELONE CDIP | LXP2181AJE.pdf | |
![]() | 11G01 | 11G01 NEC PLCC | 11G01.pdf | |
![]() | 0805/226M/6.3V | 0805/226M/6.3V SAMSUNG SMD or Through Hole | 0805/226M/6.3V.pdf | |
![]() | NRLMW822M35V35X25 | NRLMW822M35V35X25 NIC DIP | NRLMW822M35V35X25.pdf | |
![]() | MJ-WW3528FS60-F12 | MJ-WW3528FS60-F12 ORIGINAL SMD or Through Hole | MJ-WW3528FS60-F12.pdf |