창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5374AE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 75V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 54V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5374AE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5374A, SMBJ5374AE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 04025U6R8CAT2A | 6.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025U6R8CAT2A.pdf | |
![]() | ECW-H12332HV | 3300pF Film Capacitor 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.295" W (18.00mm x 7.50mm) | ECW-H12332HV.pdf | |
![]() | 3KP100CA | TVS DIODE 100VWM 162VC AXIAL | 3KP100CA.pdf | |
![]() | SIT9121AI-2CF-33E27.000000T | OSC XO 3.3V 27MHZ | SIT9121AI-2CF-33E27.000000T.pdf | |
![]() | FP3-R68-R | 680nH Unshielded Wirewound Inductor 9.72A 4.63 mOhm Max Nonstandard | FP3-R68-R.pdf | |
![]() | ADSP1016AJN | ADSP1016AJN AD SMD or Through Hole | ADSP1016AJN.pdf | |
![]() | MC44CC373CASEVK | MC44CC373CASEVK Freescale SMD or Through Hole | MC44CC373CASEVK.pdf | |
![]() | M52361FP | M52361FP MIT SOP | M52361FP.pdf | |
![]() | LC3664NML10 | LC3664NML10 SAN SOIC | LC3664NML10.pdf | |
![]() | MB90098APF-G-118-BND-ER | MB90098APF-G-118-BND-ER FUJI SOP28 | MB90098APF-G-118-BND-ER.pdf | |
![]() | RG1J397M12025BB180 | RG1J397M12025BB180 SAMWHA SMD or Through Hole | RG1J397M12025BB180.pdf | |
![]() | K46163222A-PC70 | K46163222A-PC70 SAMSUNG QFP | K46163222A-PC70.pdf |