창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5362CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 28V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 6옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 20.1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5362CE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5362C, SMBJ5362CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | 0JLS300.X | FUSE CRTRDGE 300A 600VAC CYLINDR | 0JLS300.X.pdf | |
![]() | SDS850R-183M | 18µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 160 mOhm Max Nonstandard | SDS850R-183M.pdf | |
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![]() | NB6VQ572MMNR4G | NB6VQ572MMNR4G ORIGINAL SMD or Through Hole | NB6VQ572MMNR4G.pdf | |
![]() | TMP47C443N-4RE8 | TMP47C443N-4RE8 TOSHIBA DIP | TMP47C443N-4RE8.pdf | |
![]() | SS1A227M6L007PB531 | SS1A227M6L007PB531 SAMWHA SMD or Through Hole | SS1A227M6L007PB531.pdf | |
![]() | MAT0505002 | MAT0505002 ORIGINAL SMD or Through Hole | MAT0505002.pdf | |
![]() | REF103FA-2.5 | REF103FA-2.5 TIS Call | REF103FA-2.5.pdf |