창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5359CE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 5W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 17.3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMBJ5359CE3/TR13 | |
| 관련 링크 | SMBJ5359C, SMBJ5359CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
|  | ECS-147.4-20-7SX-TR | 14.7456MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SOJ, 9.40mm 피치 | ECS-147.4-20-7SX-TR.pdf | |
|  | SUM90N08-4M8P-E3 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK | SUM90N08-4M8P-E3.pdf | |
|  | 4-1419126-2 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Through Hole | 4-1419126-2.pdf | |
|  | B78476A8066A3 | B78476A8066A3 EPO SMD or Through Hole | B78476A8066A3.pdf | |
|  | STMP3504XXLAEA6N | STMP3504XXLAEA6N sigmatel qfp | STMP3504XXLAEA6N.pdf | |
|  | SI9936BDY-T | SI9936BDY-T VISHAY SMD or Through Hole | SI9936BDY-T.pdf | |
|  | ATGT1000AY | ATGT1000AY ORIGINAL PLCC | ATGT1000AY.pdf | |
|  | MBM29DL322BE-90PFTN-K | MBM29DL322BE-90PFTN-K FUJITSU TSOP48 | MBM29DL322BE-90PFTN-K.pdf | |
|  | RL251-RL252-RL253-RL254-RL255-RL256-RL257 | RL251-RL252-RL253-RL254-RL255-RL256-RL257 HYG SMD or Through Hole | RL251-RL252-RL253-RL254-RL255-RL256-RL257.pdf | |
|  | K6T2008U2A-85T | K6T2008U2A-85T SAMSUNG TSOP | K6T2008U2A-85T.pdf | |
|  | XC4005E-3TQ144C0629 | XC4005E-3TQ144C0629 XilinxInc SMD or Through Hole | XC4005E-3TQ144C0629.pdf | |
|  | AH375WL-8 | AH375WL-8 ANACHIP/DIODES SOT23 | AH375WL-8.pdf |